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太陽(yáng)能教學(xué)實(shí)驗(yàn)臺(tái)中關(guān)于硅材料檢測(cè)測(cè)試平臺(tái)

2014-10-28 [2177]

 我司的太陽(yáng)能教學(xué)實(shí)驗(yàn)臺(tái)當(dāng)中,有專業(yè)進(jìn)行硅材料檢測(cè)方面的試驗(yàn)臺(tái)??梢杂糜诠璨牧蠙z測(cè)的一些實(shí)訓(xùn)項(xiàng)目,可以用于一些硅材料技術(shù)、光伏材料加工及應(yīng)用技術(shù)專業(yè),此太陽(yáng)能教學(xué)實(shí)驗(yàn)臺(tái)設(shè)計(jì)精密,可以根據(jù)常用的一些測(cè)試項(xiàng)目,進(jìn)行一些硅片或則相關(guān)制品的電學(xué)性能測(cè)試,該實(shí)訓(xùn)臺(tái)可開(kāi)展的實(shí)訓(xùn)項(xiàng)目有:

 

         一、導(dǎo)電性能測(cè)試: 

         此太陽(yáng)能教學(xué)實(shí)驗(yàn)臺(tái)進(jìn)行導(dǎo)電性能測(cè)試的原理是:通過(guò)半導(dǎo)體與冷、熱探筆接觸后,由于載流子的熱運(yùn)動(dòng)與溫度有關(guān),熱區(qū)的載流子熱運(yùn)動(dòng)速度大,冷區(qū)熱運(yùn)動(dòng)速度小,因此在冷、熱兩端形成空穴或自由電子的濃度差,從而產(chǎn)生溫差電動(dòng)勢(shì)來(lái)測(cè)量。

 

         二、進(jìn)行四探針?lè)y(cè)試硅單晶電阻率:

         四探針?lè)ㄓ冕樉嗉s為1mm的四根探針同時(shí)壓在硅單晶樣品的平整表面上,利用恒流源給外面兩根探針通以電流,然后在中間兩根探針上用電位差計(jì)測(cè)量電壓降,然后根據(jù)推導(dǎo)簡(jiǎn)化   公式,其中四根探針排列在同一條直線上,間距相等,此時(shí)探針系數(shù)就是一個(gè)常數(shù)。

 

         在實(shí)際測(cè)量工作中,為了計(jì)算方便,常常令電流I在數(shù)值上與探針系數(shù)C相等,即I=C,于是ρ=V23,此時(shí)探針23之間測(cè)得電位差在數(shù)值上就等于樣品的電阻率。

 

          三、少子壽命的測(cè)試:

          太陽(yáng)能教學(xué)實(shí)驗(yàn)臺(tái)采用電脈沖以及光脈沖的方法,從半導(dǎo)體內(nèi)激發(fā)非平衡載流子,調(diào)節(jié)了半導(dǎo)體的體電阻,電導(dǎo)率增加,樣品的電阻減小,因此樣品上流過(guò)的高頻電流的幅值增加,通過(guò)測(cè)量體電阻或串聯(lián)電阻兩端電壓的變化規(guī)律來(lái)觀察半導(dǎo)體材料中的非平衡少數(shù)載流子的衰減規(guī)律,從而測(cè)定其壽命。

 

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